物理学専攻の高山あかりさんが、独立行政法人日本学術振興会の「第３回（平成２４年度）日本学術振興会　育志賞」を受賞することが決まりました。

　「日本学術振興会　育志賞」は、天皇陛下の御即位２０年に当たり、社会的に厳しい経済環境の中で、勉学や研究に励んでいる若手研究者を支援・奨励するため、天皇陛下より同振興会に贈られた御下賜金を基に、将来、我が国の学術研究の発展に寄与することが期待される優秀な大学院博士後期課程学生を顕彰することで、その勉学及び研究意欲を高め、若手研究者の養成を図ることを目的として、平成２２年度に創設されました。
　授賞式は、平成２５年３月４日に日本学士院で執り行われる予定です。

■受賞者：
物理学専攻博士課程前期３年　高山あかりさん（光電子固体物性研究室）
■賞名：
第３回（平成２４年度）日本学術振興会　育志賞
■博士課程の研究課題
超高分解能スピン分解光電子分光による２次元ラシュバ電子系の研究
■授賞式：
2013年3月4日
■備考：
日本学術振興会　育志賞
東北大学プレスリリース
東北大学WPI-AIMR
東北大学大学院理学研究科物理学専攻

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＊参考リンク＊
高山あかりさんが発表した研究成果
半導体-金属界面で巨大なラシュバ効果を発見 ‒次世代の省エネルギーデバイス開発に向けて大きな進展‒（2012年4月11日付けの米国化学会誌 Nano Letters に掲載）

Posted on：2013年1月18日