２月２３日（月）、物理学専攻「新博士講演会・祝賀会」が開催されます。ぜひご参加ください。

• 【新博士講演会】
  時　間：15:00-16:50
  場　所：理学研究科合同B棟745号室
  プログラム：
  15:00-15:50
  松下ステファン悠
  「高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と一次元電子状態及び一次元表面フォノンの解明」
  15:50-16:00　休憩
  16:00-16:50
  庄司裕太郎
  「最小超対称標準模型のゲージ一重項拡張とヒッグス混合の現象論」
• 【博士・修士修了生各賞授賞式】
  時　間：17:00-17:30
  場　所：理学研究科合同B棟745号室
• 【新博士祝賀会】
  時　間：17:30-
  場　所：理学研究科合同合同Ｂ棟２階エントランスホール

---

＊ポスター（PDF） Posted on：2015年2月17日