2月23日(月)、物理学専攻「新博士講演会・祝賀会」が開催されます。ぜひご参加ください。
- 【新博士講演会】
時 間:15:00-16:50
場 所:理学研究科合同B棟745号室
プログラム:
15:00-15:50
松下ステファン悠
「高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と一次元電子状態及び一次元表面フォノンの解明」
15:50-16:00 休憩
16:00-16:50
庄司裕太郎
「最小超対称標準模型のゲージ一重項拡張とヒッグス混合の現象論」
- 【博士・修士修了生各賞授賞式】
時 間:17:00-17:30
場 所:理学研究科合同B棟745号室
- 【新博士祝賀会】
時 間:17:30-
場 所:理学研究科合同合同B棟2階エントランスホール
*ポスター(
PDF)
Posted on:2015年2月17日